دستگاه  رسوب نشان شيميايي  PACVD

از سال‌ها قبل استفاده از محيط پلاسما براي ايجاد پوشش سطحي روي قطعات و ابزارهاي صنعتي مورد توجه خاصي قرار گرفته است، چرا که وجود ذرات فعال و پر انرژي (يون‌ها، الکترون‌ها، فوتون‌ها و غيره) و بمباران مداوم سطح فلز زمينه توسط اين ذرات، محيطي مناسب و تأثير گذار بر واکنش‌هاي شيميايي ايجاد كرده و باعث ايجاد پوشش در دماهاي پايين مي شود.

هم‌چنين بمباران سطح توسط ذرات پر انرژي باعث کندوپاش لايه‌هاي اکسيدي سطحي شده و منجر به اصلاح خواص فيزيکي، شيميايي و مکانيکي پوشش مي شود. بدين ترتيب، استفاده از پلاسما براي لايه نشاني شيميايي از بخار (PACVD) باعث مي شود که واکنش شيميايي تشكيل لايه در دمايي به مراتب پايين‌تر (550-450 درجه سانتیگراد) از لايه نشاني شيميايي بخار معمولي (CVD) که در دماي 900-1000 درجه سانتیگراد، انجام مي‌گيرد، صورت پذيرفته و لايه مورد نظر ايجاد شود.

برای انجام این فرآیند، ابتدا نمونه ها را در محیط پلاسمای گاز خنثی مثل آرگون و هیدروژن، تحت تمیزکاری سطحی قرار داده و دمای آنها را به مقدار مورد نظر می رسانند. سپس گاز عمليات که مخلوطی است از گازهای نیتروژن، هیدروژن، آرگون و بخار TiCl4 با نسبت های معین وارد محفظه شده و در نهایت با کنترل دیگر پارامترها مثل دما، زمان، فشار، فرکانس و عرض پالس، لایه نشانی صورت می پذیرد.

با استفاده از اين روش مي توان پوشش‌هاي دوتايي، سه تايي، چهارتايي به‌صورت تک لايه يا چند لايه نظيرTiN ، TiC، CNTi، TiAlN، TiBN، TiAlCN و غيره را ايجاد کرد.

 مزيت هاي دستگاه  رسوب نشان شيميايي از بخار به كمك پلاسما به اين صورت است كه با دارا بودن اين سيستم امكان انجام فرايند نيتراسيون و متعاقب آن فرايند لايه نشاني وجود دارد به اين ترتيب پوشش هاي فوق سخت بر روي بستر ي با سختي مناسب قرار مي گيرند كه اين امر موجب افزايش استحكام، چسبندگي و مقاومت آن مي شود.

دستگاه رسوب نشان شیمیایی

دیدگاهتان را بنویسید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *